MOSFET 2 canal Type P, Type N Double Vishay 4 A 20 V Enrichissement, 8 broches, TSOP TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7304
- Référence fabricant:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
921,00 €
HT
1 104,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 02 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,307 € | 921,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7304
- Référence fabricant:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.156 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.1W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.65mm | |
| Longueur | 3.05mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.156 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.1W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.65mm | ||
Longueur 3.05mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V et une résistance source de drain de 36 Mohm à une tension source de grille de 4,5 V. Sa puissance nominale maximale est de 3,1 W. Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 4 A. Il est doté d'une application dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, TSOP TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal Type N 6 broches, TSOP TrenchFET Non
- MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé Vishay 2.3 A 30 V Enrichissement TSOP TrenchFET Non
- MOSFET P Vishay 8 A 20 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 8 A 12 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 8 A 30 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 5.4 A 80 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 12.5 A 20 V Enrichissement TSSOP TrenchFET