MOSFET Nexperia canal N/P, SOT-363 (SC-88) 200 mA, 350 mA 30 V, 6 broches
- Code commande RS:
- 136-2144
- Référence fabricant:
- NX3008CBKS,115
- Marque:
- Nexperia
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,065 €
HT
0,078 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 3000 - 3000 | 0,065 € | 195,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,062 € | 186,00 € |
| 9000 + | 0,06 € | 180,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 136-2144
- Référence fabricant:
- NX3008CBKS,115
- Marque:
- Nexperia
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- MY
Détail produit
Les transistors MOSFET robustes et faciles à utiliser sont disponibles dans la plage de 40 à 60 V et font partie de notre large gamme de transistors MOSFET. Ils sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant d'excellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe
Boîtier sans câble SOT883 (SC-101) ultra-compact de taille 1006
Large choix d'options de boîtiers CMS et câblés
Large gamme de fonctions doubles et simples
Plus de 300 produits différents
Large choix d'options de boîtiers CMS et câblés
Large gamme de fonctions doubles et simples
Plus de 300 produits différents
Transistor complémentaire à effet de champ (FET), à mode d'enrichissement et canal N/P dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT363(SC-88) utilisant la technologie MOSFET à tranchée
Faible tension de seuil
Commutation très rapide
Technologie MOSFET à tranchée
Protection ESD jusqu'à 2
Certifié AEC-Q101
Commutation très rapide
Technologie MOSFET à tranchée
Protection ESD jusqu'à 2
Certifié AEC-Q101
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N, P |
| Courant continu de Drain maximum | 200 mA, 350 mA |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOT-363 (SC-88) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 6 |
| Résistance Drain Source maximum | 2,8 Ω, 7,8 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 1.1V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.6V |
| Dissipation de puissance maximum | 990 mW |
| Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Largeur | 1.35mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 0,52 nC @ 4,5 V, 0,55 nC @ 4,5 V |
| Longueur | 2.2mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Tension directe de la diode | 1.2V |
| Standard automobile | AEC-Q101 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1mm |
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