MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 350 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 865-2182
- Référence fabricant:
- NX3008NBKS,115
- Marque:
- Nexperia
Ajoutez 200 de plus pour économiser 3,20 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 100 unités)*
15,30 €
HT
18,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 8 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,153 € | 15,30 € | - |
| 200 - 400 | 0,137 € | 13,70 € | 3,20 € |
| 500 + | 0,122 € | 12,20 € | 15,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 865-2182
- Référence fabricant:
- NX3008NBKS,115
- Marque:
- Nexperia
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | Trench MOSFET | |
| Type de Boitier | SC-88 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.52nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 445mW | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série Trench MOSFET | ||
Type de Boitier SC-88 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.52nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 445mW | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Longueur 2.2mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à double canal N, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 350 mA 30 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET 1 canal N Simple Nexperia 320 mA 60 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 300 mA 60 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type P Isolé Nexperia 160 mA 50 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 860 mA 20 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET Non
- MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 870 mA 20 V Enrichissement SC-88 Trench MOSFET Non
- MOSFET canal N Nexperia 350 mA 30 V Enrichissement SC-70 NX3008NBKW AEC-Q101