MOSFET 2 canal N Isolé Nexperia 860 mA 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 Trench MOSFET Non

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Code commande RS:
725-8394
Référence fabricant:
PMGD290XN,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

860mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-88

Série

Trench MOSFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

350mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.72nC

Dissipation de puissance maximum Pd

410mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Tension directe Vf

800mV

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1mm

Longueur

2.2mm

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Transistor MOSFET à double canal N, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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