Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	300 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-363
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	2 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.1V
Tension de seuil minimale de la grille	1.1V
Dissipation de puissance maximum	445 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs	0,5 nC @ 4,5 V
Largeur	1.35mm
Nombre d'éléments par circuit	2
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	300 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-363
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	2 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.1V
Tension de seuil minimale de la grille	1.1V
Dissipation de puissance maximum	445 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs	0,5 nC @ 4,5 V
Largeur	1.35mm
Nombre d'éléments par circuit	2
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

MOSFET Nexperia canal N, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

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