Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	860 mA
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-363
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	350 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.5V
Tension de seuil minimale de la grille	0.5V
Dissipation de puissance maximum	410 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Longueur	2.2mm
Largeur	1.35mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	0,72 nC @ 4,5 V
Hauteur	1mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	860 mA
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-363
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	350 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.5V
Tension de seuil minimale de la grille	0.5V
Dissipation de puissance maximum	410 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Longueur	2.2mm
Largeur	1.35mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	0,72 nC @ 4,5 V
Hauteur	1mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Nexperia canal N, SOT-363 860 mA 20 V, 6 broches

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