MOSFET canal N Microchip 190 mA 240 V Enrichissement, 3 broches, TO-92
- Code commande RS:
- 144-5876
- Référence fabricant:
- VN2410L-G
- Marque:
- Microchip
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1 045,00 €
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Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,045 € | 1 045,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 144-5876
- Référence fabricant:
- VN2410L-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 190mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 240V | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Largeur | 4.19mm | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 190mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 240V | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.2mm | ||
Largeur 4.19mm | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex
La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Transistors MOSFET, Microchip
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