MOSFET canal N Microchip 190 mA 240 V Enrichissement, 3 broches, TO-92

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Code commande RS:
144-5876
Référence fabricant:
VN2410L-G
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

190mA

Tension Drain Source maximum Vds

240V

Type de Boitier

TO-92

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

5.33mm

Largeur

4.19mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH

Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex


La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Transistors MOSFET, Microchip


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