MOSFET N Microchip 190 mA 240 V Enrichissement, 3 broches, TO-92
- Code commande RS:
- 144-5876
- Référence fabricant:
- VN2410L-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 sachet de 1000 unités)*
780,00 €
HT
940,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,78 € | 780,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 144-5876
- Référence fabricant:
- VN2410L-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 190mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 240V | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 190mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 240V | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex
La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Transistors MOSFET, Microchip
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