MOSFET Microchip canal N, , TO-92 230 mA 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 916-3721
- Référence fabricant:
- 2N7008-G
- Marque:
- Microchip
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100 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
200 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,543 €
HT
0,652 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
25 - 75 | 0,543 € | 13,575 € |
100 + | 0,492 € | 12,30 € |
*Prix donné à titre indicatif |
Options de conditionnement :
- Code commande RS:
- 916-3721
- Référence fabricant:
- 2N7008-G
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistors MOSFET canal N 2N7008
Le 2N7008 de Microchip est un transistor à mode d'enrichissement (normalement fermé) qui utilise une structure verticale DMOS. La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.
Caractéristiques
Libre de toute panne secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Le transistor à mode d'amélioration (normalement désactivé) à canal N 2N7008 de Microchip utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un dispositif avec les capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires, et l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif inhérents au dispositif MOS. Ce dispositif est exempt d'une fuite thermique et d'une panne secondaire causée thermiquement. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une très faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une haute impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.
Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Sans plomb (Pb)
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Sans plomb (Pb)
Transistors MOSFET, Microchip
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 230 mA |
Tension Drain Source maximum | 60 V |
Type de boîtier | TO-92 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 7,5 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
Dissipation de puissance maximum | 1 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Largeur | 4.06mm |
Matériau du transistor | Si |
Longueur | 5.08mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Tension directe de la diode | 1.5V |
Hauteur | 5.33mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |