MOSFET Microchip canal N, , TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

Le 2N7008 de Microchip est un transistor à mode d'enrichissement (normalement fermé) qui utilise une structure verticale DMOS. La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.

Libre de toute panne secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible C_ISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés

Le transistor à mode d'amélioration (normalement désactivé) à canal N 2N7008 de Microchip utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un dispositif avec les capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires, et l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif inhérents au dispositif MOS. Ce dispositif est exempt d'une fuite thermique et d'une panne secondaire causée thermiquement. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une très faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une haute impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.

Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Sans plomb (Pb)

Transistors MOSFET, Microchip