MOSFET Microchip canal P, TO-92 643 mA 60 V, 3 broches

La série VP2206 de Microchip est composée de transistors à mode d'amélioration (normalement désactivés) qui utilisent une structure DMOS verticale et le processus de fabrication de grille en silicium éprouvé de Supertex. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Ces transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une très faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une haute impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.

Il est doté d'une panne secondaire
Il est doté d'une commande à faible consommation
Il offre une facilité de mise en parallèle, une faible CISS et des vitesses de commutation rapides
Il est doté d'une impédance d'entrée élevée et d'un gain élevé avec une excellente stabilité thermique
Il est doté d'une diode source à drain intégrée