- Code commande RS:
- 177-9850
- Référence fabricant:
- TN2106N3-G
- Marque:
- Microchip
En cours d'approvisionnement -expédition le 09/07/2024, pour livraison dès le lendemain
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,631 €
HT
0,757 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
20 - 20 | 0,631 € | 12,62 € |
40 - 80 | 0,601 € | 12,02 € |
100 + | 0,544 € | 10,88 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 177-9850
- Référence fabricant:
- TN2106N3-G
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TW
Détail produit
Ce transistor (normalement fermé) à mode d'appauvrissement à faible seuil utilise une structure DMOS verticale et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification, dans lesquelles une très basse tension de seuil, une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des commutations rapides sont souhaitées.
Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 300 mA |
Tension Drain Source maximum | 60 V |
Série | TN2106 |
Type de boîtier | TO-92 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 5 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2V |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.6V |
Dissipation de puissance maximum | 740 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | 20 V |
Largeur | 4.06mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 5.08mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Hauteur | 5.33mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Tension directe de la diode | 1.8V |