Références fabricant

MOSFET canal N Vishay 29 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 E

Code commande RS:: 145-1820
Référence fabricant:: SIHB30N60E-GE3
Marque:: Vishay

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Sous-total (1 tube de 50 unités)*

162,60 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	3,252 €	162,60 €
100 - 200	3,057 €	152,85 €
250 +	2,764 €	138,20 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 145-1820
Référence fabricant:: SIHB30N60E-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	29A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Série	E
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	125mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	85nC
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	250W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	9.65mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.67mm
	Hauteur	4.83mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 29A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Série E
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 85nC
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 250W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 9.65mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.67mm
	Hauteur 4.83mm
	Standard automobile Non

SiHB30N60E, E Series Power MOSFET

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor

Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximale ultra-faible, un facteur de mérite faible et une commutation rapide. Ils sont disponibles dans une large gamme d'intensités nominales. Les applications typiques incluent les alimentations de serveurs et télécommunication, l'éclairage à LED, les convertisseurs Flyback, la correction du facteur de puissance et les alimentations à découpage.

Caractéristiques

Facteur de mérite (FOM) faible RDS(on) x Qg

Faible capacité d'entrée

Faible résistance à l'état passant (RDS(on))

Très faible charge de grille (Qg)

Commutation rapide

Pertes de conduction et de commutation réduites

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

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