MOSFET de puissance P Vishay 6.7 A 60 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB RF9Z10

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Code commande RS:
145-1871
Référence fabricant:
IRF9Z10PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

6.7A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

RF9Z10

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Tension directe Vf

-5.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

43W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS 2002/95/EC

Largeur

4.65mm

Hauteur

15.49mm

Longueur

10.51mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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