MOSFET de puissance canal N Vishay 20 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC SiHG20N50C
- Code commande RS:
- 145-2031
- Référence fabricant:
- SIHG20N50C-E3
- Marque:
- Vishay
- Code commande RS:
- 145-2031
- Référence fabricant:
- SIHG20N50C-E3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Série | SiHG20N50C | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.27Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Normes/homologations | RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21 | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Série SiHG20N50C | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.27Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 76nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.31mm | ||
Normes/homologations RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21 | ||
Longueur 15.87mm | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance N Vishay 20 A 500 V Enrichissement TO-247AC SiHG20N50C
- MOSFET de puissance N Vishay 19 A 500 V Enrichissement TO-247AC E
- MOSFET N Vishay 30 A 500 V Enrichissement TO-247AC SiHG32N50D
- MOSFET de puissance N Vishay 23 A 400 V Enrichissement TO-247AC IRFP360
- MOSFET de puissance N Vishay 16 A 600 V Enrichissement TO-247AC IRFP
- MOSFET de puissance N Vishay 38 A 250 V Enrichissement TO-247AC IRFP264
- MOSFET de puissance N Vishay 6.1 A 1 kV Enrichissement TO-247AC IRFPG50
- MOSFET de puissance N Vishay 70 A 60 V Enrichissement TO-247AC IRFP064
