MOSFET de puissance canal N Vishay 20 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC SiHG20N50C

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Code commande RS:
145-2031
Référence fabricant:
SIHG20N50C-E3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Série

SiHG20N50C

Type de Boitier

TO-247AC

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.27Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

76nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.31mm

Normes/homologations

RoHS (2002/95/EC), IEC 61249-2-21

Longueur

15.87mm

Hauteur

20.82mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.