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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	33A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-220
	Série	UltraFET
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	38mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-16V, +16V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	28nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	85W
	Tension directe Vf	1.25V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.67mm
	Hauteur	16.3mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	4.7mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 33A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-220
	Série UltraFET
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 38mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 85W
	Tension directe Vf 1.25V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.67mm
	Hauteur 16.3mm
	Normes/homologations No
	Largeur 4.7mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

Le transistor MOSFET à tranchée UItraFET® regroupe des caractéristiques offrant une efficacité dans les tests d'applications de conversion de puissance. Le circuit est capable de résister aux pics de tension en mode avalanche, et la diode présente un temps de recouvrement inverse et une charge emmagasinée faibles. Optimisé pour efficacité à hautes fréquences, RDS(on) les plus faibles, ESR faible, et faible charge de grille totale et Miller.

Les applications de convertisseurs c.c./c.c. à haute fréquence, de régulateurs à découpage, de commandes de moteur, de commutateurs de bus basse tension et de gestion d'alimentation.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

37,35 €

0,747 €/unité

MOSFET canal N onsemi 33 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 UltraFET

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Transistor MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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