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    MOSFET Wolfspeed canal N, , A-247 5 A 1700 V, 3 broches

    Wolfspeed
    Code commande RS:
    145-6660
    Référence fabricant:
    C2M1000170D
    Marque:
    Wolfspeed
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    Prix pour l'unité (en tube de 30)

    7,646 €

    HT

    9,175 €

    TTC

    UnitéPrix par unitéle tube*
    30 - 1207,646 €229,38 €
    150 - 2707,447 €223,41 €
    300 +7,264 €217,92 €
    *Prix donné à titre indicatif
    Code commande RS:
    145-6660
    Référence fabricant:
    C2M1000170D
    Marque:
    Wolfspeed

    Documentation technique


    Législation et Conformité

    Pays d'origine :
    CN

    Détail produit

    Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed


    Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.

    • Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
    • Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
    • Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
    • Commutation haute vitesse avec faible résistance
    • Fonctionnement à verrouillage résistant


    Transistors MOSFET, Wolfspeed

    Caractéristiques techniques

    Attribut
    Valeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum5 A
    Tension Drain Source maximum1700 V
    Type de boîtierA-247
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum1,4 Ω
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille3.1V
    Tension de seuil minimale de la grille2.4V
    Dissipation de puissance maximum69 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-5 V, +20 V
    Longueur16.13mm
    Matériau du transistorSiC
    Largeur5.21mm
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Charge de Grille type @ Vgs13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V
    Nombre d'éléments par circuit1
    Tension directe de la diode3.8V
    Hauteur21.1mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
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