MOSFET Infineon canal N, A-220 10,6 A 550 V, 3 broches

Code commande RS:: 145-8903
Référence fabricant:: IPP50R380CEXKSA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, A-220 10,6 A 550 V, 3 broches

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Code commande RS:: 145-8903
Référence fabricant:: IPP50R380CEXKSA1
Marque:: Infineon

IPP50R380CE, 500V CoolMOS CE Power Transistor

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 14,1A Maximum Continuous Drain Current, 98W Maximum Power Dissipation - IPP50R380CEXKSA1

Ce MOSFET est conçu pour les applications de puissance à haute tension, en mettant l'accent sur l'efficacité et la fiabilité. Intégrant la technologie CoolMOS™, il améliore les performances de commutation tout en minimisant les pertes, ce qui le rend avantageux pour diverses applications industrielles et améliore considérablement la gestion de l'énergie.

Caractéristiques et avantages

• Un faible Rds(on) réduit les pertes par conduction, ce qui contribue à l'efficacité
• Courant de vidange continu élevé pour les applications rigoureuses
• Simplifie l'intégration dans les systèmes existants grâce à sa facilité de conduite
• La flexibilité de la tension de seuil de la porte élargit la compatibilité avec différents circuits
• La conception robuste de l'emballage garantit sa durabilité dans les environnements difficiles

Applications

• Convient aux étages de correction du facteur de puissance (PFC)
• Fonctionne bien dans les étages PWM à commutation dure
• Applicable à la commutation par résonance pour les téléviseurs LCD et PDP
• Efficace pour l'éclairage pour une gestion efficace de l'énergie
• Utilisé dans les alimentations électriques pour les PC et les systèmes d'automatisation

Quelle est la tension porte-source optimale pour le fonctionnement ?

Le MOSFET fonctionne efficacement avec une tension grille-source maximale de ±30 V, ce qui optimise le contrôle dans diverses applications.

Comment ce composant se comporte-t-il dans les environnements thermiques ?

Avec une dissipation de puissance maximale de 98 W, il fonctionne efficacement entre -55°C et +150°C, ce qui le rend adapté à une gamme de conditions thermiques.

Ce composant peut-il gérer des courants pulsés ?

Il peut gérer des courants d'impulsion allant jusqu'à 32,4 A, supportant ainsi les conditions transitoires de manière compétente sans compromettre les performances.

Quels sont les avantages de la technologie de la superjonction ?

La technologie de la superjonction réduit les pertes de commutation et de conduction, ce qui améliore l'efficacité globale et prolonge la durée de vie des dispositifs dans les applications.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	10,6 A
Tension Drain Source maximum	550 V
Série	CoolMOS™ CE
Type de boîtier	A-220
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	380 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.5V
Tension de seuil minimale de la grille	2.5V
Dissipation de puissance maximum	73 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	10.36mm
Largeur	4.57mm
Charge de Grille type @ Vgs	24,8 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	15.95mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	0.85V