MOSFET P Infineon 1.18 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS P AEC-Q101

Code commande RS:: 145-9489
Référence fabricant:: BSS215PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 1.18 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS P AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

288,00 €

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Code commande RS:: 145-9489
Référence fabricant:: BSS215PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	1.18A
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Série	OptiMOS P
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	280mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	3.6nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	-1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-12V, +12V
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.3mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	2.9mm
	Hauteur	1mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 1.18A
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Série OptiMOS P
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.6nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf -1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.3mm
	Normes/homologations No
	Longueur 2.9mm
	Hauteur 1mm
	Standard automobile AEC-Q101

BSS215P OptiMOS P2 Small Signal Transistor Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET OptiMOS série P d'Infineon, tension de source de drain maximale de 20 V, résistance de source de drain maximale de 280 mΩ - BSS215PH6327XTSA1

Ce MOSFET est un transistor d'amélioration à canal P destiné aux applications à montage en surface dans les systèmes électroniques exigeants. Il fournit une fonctionnalité de commutation contrôlée pour les circuits basse tension, fonctionnant dans une large plage ambiante pour s'adapter aux conditions automobiles et industrielles, et est logé dans un boîtier SOT-23 compact pour les conceptions à espace limité.

Caractéristiques et avantages :

• La faible résistance à l'état passant de 280 mΩ réduit les pertes de conduction et les besoins en dissipation thermique
• Le courant de drainage maximal de 1,18 A prend en charge la capacité de commutation de charge modérée
• La tension nominale drain-source de 20 V permet un fonctionnement sûr dans les systèmes 12 V
• La charge de grille typique de 3,6 nC permet une commutation plus rapide avec moins d'énergie d'entraînement
• La dissipation de puissance de 500 mW limite la contrainte thermique dans les conceptions à faible consommation
• La tolérance nominale grille-source de 12 V garantit la résistance aux surcharges de grille

Applications

• Convient à la commutation high-side dans les systèmes de gestion de batterie
• Idéal pour la déconnexion de charge dans les circuits auxiliaires automobiles
• Utilisé pour la commande de convertisseurs c.c.-c.c. dans les alimentations compactes
• Peut être utilisé pour la protection contre l'inversion de polarité dans les installations 12 V
• Adapté pour la commutation de niveau de signal dans les modules d'interface de capteur

Quelle plage de température peut-il tolérer pendant le fonctionnement?

Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, s'adaptant à des environnements thermiques extrêmes.

Comment le dispositif est-il conditionné pour l'assemblage sur les circuits imprimés?

Il est fourni dans un boîtier à montage en surface SOT-23 conçu pour le placement et le soudage automatisés des circuits imprimés.

Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille que je dois prendre en compte?

Le dispositif accepte jusqu'à 12 V entre la porte et la source

pour garantir que les circuits d'entraînement de grille limitent les excursions dans ce seuil.

Ce dispositif est-il adapté à la qualification automobile?

Il est conforme aux normes AEC-Q101 adaptées à de nombreuses conceptions électroniques automobiles.