MOSFET canal N onsemi 4 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 PowerTrench AEC-Q101
- Code commande RS:
- 146-1963
- Référence fabricant:
- FDP2572
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
67,55 €
HT
81,05 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 03 août 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,351 € | 67,55 € |
| 250 + | 1,097 € | 54,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 146-1963
- Référence fabricant:
- FDP2572
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 54mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 135W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 26nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 54mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 135W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 26nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.83mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, jusqu'à 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 4 A 150 V Enrichissement TO-220 PowerTrench AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 5 A 150 V Enrichissement TO-220 PowerTrench AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 15 A 150 V Enrichissement TO-220 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 5 A 150 V Enrichissement TO-220 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 35 A 150 V Enrichissement, 8 broches PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 139 A 150 V N TO-220 PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 40 A 150 V Enrichissement WDFN PowerTrench
- MOSFET canal N onsemi 19 A 150 V Enrichissement MLP PowerTrench