Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 51 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PQFN PowerTrench

Code commande RS:: 146-4116
Référence fabricant:: FDMS86183
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 51 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PQFN PowerTrench

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25 - 75	1,35 €	33,75 €
100 - 225	1,164 €	29,10 €
250 +	1,01 €	25,25 €

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Code commande RS:: 146-4116
Référence fabricant:: FDMS86183
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	51A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	PowerTrench
	Type de Boitier	PQFN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	12.8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	15nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	63W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	5mm
	Largeur	5.85mm
	Hauteur	1.05mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 51A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série PowerTrench
	Type de Boitier PQFN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 12.8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 63W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Longueur 5mm
	Largeur 5.85mm
	Hauteur 1.05mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

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