MOSFET 2 canal Type P Double DiodesZetex 5.2 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DMP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 146-4665
- Référence fabricant:
- DMPH6050SSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 060,00 €
HT
1 272,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,424 € | 1 060,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 146-4665
- Référence fabricant:
- DMPH6050SSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | DMP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.5W | |
| Tension directe Vf | -0.7V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.95mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Longueur | 4.95mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série DMP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.5W | ||
Tension directe Vf -0.7V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.95mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Longueur 4.95mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à double canal P, Diodes Inc.
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type P Double DiodesZetex 5.2 A 60 V Enrichissement SOIC DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 4.5 A 60 V Enrichissement SOIC DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 5.2 A 12 V Enrichissement SOT-23 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 7.4 A 20 V Enrichissement TSSOP DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 50 A 40 V Enrichissement TO-252 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 55 A 40 V Enrichissement TO-252 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement PowerDI5060-8 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 18.2 A 60 V Enrichissement SOT-223 DMP AEC-Q101