MOSFET Nexperia canal P, DFN1010D-3 3,2 A -12 V, 4 broches

Transistors MOSFET canal P, la solution idéale pour votre conception lorsque les canaux N ne sont pas adaptés. Notre grand catalogue MOSFET inclut également de nombreuses familles de dispositifs à canal P, basées sur la technologie de pointe des tranchées Nexperia. Avec des valeurs nominales de 12 V à 70 V et des boîtiers de faible et moyenne puissance, ces transistors présentent le haut niveau d'efficacité et de fiabilité caractéristique de nos produits.

Transistor MOSFET à tranchées à canal P 12 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et canal P dans un très petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) sans câble utilisant la technologie MOSFET à tranchées.

Technologie MOSFET à tranchée
Très petit boîtier en plastique CMS ultramince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm
Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique
Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) HBM 1,5 kV
Résistance drain-source à l'état passant RDSon = 59 mΩ
Très faible tension de seuil de source de matrice pour les applications portables VGS(th) = -0,68 V