MOSFET Nexperia canal N, DFN1010D-3 3,2 A 30 V, 4 broches

Transistors MOSFET canal N de 25 V-30 V. Performances robustes grâce au savoir-faire de la technologie avancée, transistors MOSFET faciles à utiliser dans la plage de 25 V à 30 V. Parfaits pour les applications à espace et puissance limités, ils offrent d'excellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) qui est la meilleure de sa catégorie. Vous avez besoin d'une autre tension nominale ? Consultez les autres produits de notre vaste gamme pour plus d'options.

Transistor MOSFET à tranchée canal N 30 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et canal N dans un très petit boîtier en plastique sans câble à montage en surface (CMS) DFN1010D-3 (SOT1215) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Technologie MOSFET à tranchée
Boîtier en plastique CMS très petit et mince sans câble : 1,1 x 1 x 0,37 mm
Coussin de drainage exposé pour une excellente conductivité thermique
Résistance à très faible drain-source à l'état passant RDSon = 49 mΩ
Commutation très rapide
Commutateur en charge Low-side et commutateur de charge pour les appareils portables
Gestion de l'alimentation dans les dispositifs portables à batterie
Circuit de LED
Convertisseurs c.c.-c.c.