MOSFET canal N Nexperia 25 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK BUK9Y2940E AEC-Q101

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presentation
MOSFET canal N onsemi 38 A 40 V Enrichissement, 4 broches, LFPAK NVMYS010N04CL AEC-Q101
Code commande RS
195-2545

l'unité (en bobine de 3000)

945,00 €

HT

1 134,00 €

TTC

Code commande RS:
153-2815
Référence fabricant:
BUK9Y29-40E,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

BUK9Y2940E

Type de Boitier

LFPAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

58.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

15V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

37W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.1mm

Hauteur

1.05mm

Standard automobile

AEC-Q101

MOSFET de niveau logique à Canal N 40 V, 29 mΩ dans un boîtier LFPAK56, MOSFET de niveau logique à Canal N dans un boîtier LFPAK56 (Power SO8) utilisant la technologie TrenchMOS. Ce produit a été conçu et certifié conforme à la norme AEC Q101 pour une utilisation dans les applications automobiles haute performance.

Conforme à la norme Q101

Résistance aux avalanches répétitives

Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 175 °C

Grille de niveau logique véritable avec VGS(th) nominale de plus de 0,5 V à 175 °C

Systèmes automobiles 12 V

Commande de moteurs, de lampes et de solénoïdes

Commande de transmission

Commutation de puissance ultrahaute performance

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