MOSFET Nexperia canal N, WLCSP 6 A 12 V, 4 broches

Avec les transistors MOSFET canal N ≤ 20 V, bénéficiez de solutions de commutation optimales pour vos conceptions portables, faites votre choix parmi une large gamme de transistors MOSFET à canal N simple et double jusqu'à 20 V. Excellente fiabilité grâce à nos technologies TrenchMOS et boîtier de confiance. Nos transistors MOSFET basse tension d'utilisation facile sont conçus spécifiquement pour répondre aux demandes des applications portables avec des tensions de pilotage faible.

Transistor MOSFET à tranchée à canal N, 12 V, transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et canal N, dans un boîtier Wafer-Level Chip-Size (WLCSP) à 4 bosses utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Faible tension de seuil
Boîtier de dimensions très réduites : 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Technologie MOSFET à tranchée
Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) >HBM 2 kV
Driver de relais
Driver de ligne haut débit
Commutateur de charge "faible puissance"
Circuits de commutation