Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	180 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.3V
Dissipation de puissance maximum	400 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	1.4mm
Matériau du transistor	Si
Longueur	3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs	2,5 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	1.01mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	180 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.3V
Dissipation de puissance maximum	400 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	1.4mm
Matériau du transistor	Si
Longueur	3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs	2,5 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	1.01mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal P, SOT-23 1 A 20 V, 3 broches

Nos clients ont également consulté