MOSFET P onsemi 1 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101

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Code commande RS:
162-9239
Référence fabricant:
NVR1P02T1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

180mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

400mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

3.04mm

Hauteur

1.01mm

Largeur

1.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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