MOSFET onsemi canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 671-0328
- Référence fabricant:
- BSS84
- Marque:
- onsemi
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| *Prix donné à titre indicatif | ||
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- 671-0328
- Référence fabricant:
- BSS84
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor
La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS
Applications :
Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 130 mA |
| Tension Drain Source maximum | 50 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 10 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.8V |
| Dissipation de puissance maximum | 360 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 0,9 nC @ 5 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 1.3mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 2.92mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 0.93mm |
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