MOSFET canal N onsemi 276 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8FL NTMFS
- Code commande RS:
- 163-0285
- Référence fabricant:
- NTMFS5C604NLT1G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
1 476,00 €
HT
1 771,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 20 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,984 € | 1 476,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-0285
- Référence fabricant:
- NTMFS5C604NLT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 276A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | NTMFS | |
| Type de Boitier | SO-8FL | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 167W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 120nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 276A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série NTMFS | ||
Type de Boitier SO-8FL | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 167W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 120nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Longueur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 276 A 60 V Enrichissement SO-8FL NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 78 A 30 V Enrichissement SO-8FL NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 323 A 40 V Enrichissement SO-8FL NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 201 A 80 V Enrichissement SO-8FL NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 273 A 40 V Enrichissement SO-8FL NTMFS
- MOSFET P onsemi 164 A 30 V Enrichissement SO-8FL NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 46 A 30 V Enrichissement SO-8FL NTMFS4C10N
- MOSFET canal N onsemi 69 A 30 V Enrichissement SO-8FL NTMFS4C06N