MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 1,3 A 8 V, 6 broches

Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.

Protection ESD
• Commutateur de charge à canal P Rds ultrafaible
Plage de tension de 1,8 - 8 V.
Plage marche/arrêt - 1,5 à 8 V.
Boîtier SOT 363
• Charge d'entraînement jusqu'à 1,3 A avec 8 V.

Commutateur de charge haute puissance avec changement de niveau
Téléphones mobiles
• Appareils photo numériques
• PDA
Lecteurs de média

Transistors MOSFET, ON Semiconductor