MOSFET onsemi canal P, SOIC 11,4 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 163-1135
- Référence fabricant:
- NTMS4177PR2G
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
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| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 2500 + | 0,396 € | 990,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 163-1135
- Référence fabricant:
- NTMS4177PR2G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 11,4 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOIC |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 19 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 2,5 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 29 nC @ 4,5 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 5mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Hauteur | 1.5mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |