Références fabricant

MOSFET P onsemi 11.4 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC NTMS

Code commande RS:: 780-4723
Référence fabricant:: NTMS4177PR2G
Marque:: onsemi

MOSFET P onsemi 11.4 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC NTMS

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

8,36 €

10,03 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 +	0,836 €	8,36 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 780-4723
Référence fabricant:: NTMS4177PR2G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	11.4A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOIC
	Série	NTMS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	19mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	-1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.5W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	29nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.5mm
	Longueur	5mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 11.4A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOIC
	Série NTMS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 19mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf -1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 29nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.5mm
	Longueur 5mm
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

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