MOSFET P DiodesZetex 11.4 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7541
- Référence fabricant:
- DMPH4015SSSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-7541
- Référence fabricant:
- DMPH4015SSSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.015mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.45mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.015mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.45mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal P en mode enrichissement, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SO-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±25 V. Son faible RDS(ON) aide à minimiser les pertes de puissance. Son faible Qg aide à minimiser les pertes de commutation.
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