MOSFET P DiodesZetex 160 mA 12 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

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Code commande RS:
246-6844
Référence fabricant:
DMP65H20D0HSS-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

160mA

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.45mm

Longueur

4.9mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

DiodesZetex propose un MOSFET en mode d'enrichissement à canal P, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SO-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement.

La tension maximale drain-source est de 600 V et la tension maximale grille-source est de ±30 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente un indice BVDSS élevé pour les applications de puissance. Il offre une faible capacitance d'entrée.

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