MOSFET P DiodesZetex 160 mA 12 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7535
- Référence fabricant:
- DMP65H20D0HSS-13
- Marque:
- DiodesZetex
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- Code commande RS:
- 246-7535
- Référence fabricant:
- DMP65H20D0HSS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.85mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Hauteur | 1.45mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.85mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Hauteur 1.45mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET en mode d'enrichissement à canal P, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SO-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement.
La tension maximale drain-source est de 600 V et la tension maximale grille-source est de ±30 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente un indice BVDSS élevé pour les applications de puissance. Il offre une faible capacitance d'entrée.
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