MOSFET P onsemi 8.8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC FDS

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

635,00 €

HT

762,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Stock limité
  • 7 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,254 €635,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
124-1706
Référence fabricant:
FDS4435BZ
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8.8A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

FDS

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4mm

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

1.5mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal P, automobile, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.