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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	5.3A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOIC
	Série	PowerTrench
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	50mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	10nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.5W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-25V, +25V
	Tension directe Vf	-1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Hauteur	1.5mm
	Longueur	5mm
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 5.3A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOIC
	Série PowerTrench
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V
	Tension directe Vf -1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Hauteur 1.5mm
	Longueur 5mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.

Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.

Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

642,50 €

0,257 €/unité

MOSFET P onsemi 5.3 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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