MOSFET canal N onsemi 198 A 60 V Enrichissement, 10 broches, TCPAK57 NTM

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Code commande RS:
277-047
Référence fabricant:
NTMJST1D4N06CLTXG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

198A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TCPAK57

Série

NTM

Type de montage

En surface

Nombre de broches

10

Résistance Drain Source maximum Rds

1.49mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

92.2nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

116W

Tension directe Vf

800mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, Pb-Free

Largeur

7.5mm

Longueur

5.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le MOSFET de ON Semiconductor est un transistor de puissance à canal N unique avec une tension nominale de 60V, une résistance à l'enclenchement de 1,49mΩ et une capacité de courant de 198A. Son boîtier compact TCPAK57 5x7mm assure des performances thermiques efficaces, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie, de contrôle des moteurs et de conversion DC-DC.

Boîtier optimisé pour dissiper la chaleur par le haut

Faible encombrement pour les conceptions compactes

RDS(on) très faible pour améliorer l'efficacité du système

Le dispositif est exempt de plomb et conforme à la directive RoHS

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