MOSFET canal N onsemi 310 A 40 V Enrichissement, 8 broches, DFN-8 NTM
- Code commande RS:
- 277-046
- Référence fabricant:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,344 € | 6,72 € |
| 50 - 95 | 1,276 € | 6,38 € |
| 100 - 495 | 1,184 € | 5,92 € |
| 500 - 995 | 1,092 € | 5,46 € |
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- Code commande RS:
- 277-046
- Référence fabricant:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 310A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | NTM | |
| Type de Boitier | DFN-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.78mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 72nC | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 135W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | Pb-Free, RoHS | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 310A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série NTM | ||
Type de Boitier DFN-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.78mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 135W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 5.1mm | ||
Normes/homologations Pb-Free, RoHS | ||
Largeur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
La technologie MOSFET de puissance de ON Semiconductor avec la meilleure résistance à l'enclenchement de sa catégorie pour les applications de pilotage de moteur. Une résistance à l'amorçage plus faible et une charge de grille moins importante permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes d'entraînement. Un bon contrôle de la douceur de la récupération de l'inversion de la diode de corps permet de réduire le stress de la pointe de tension sans circuit snubber supplémentaire dans l'application.
Charge de grille ultra-faible
Commutation à grande vitesse avec une faible capacité
Récupération de l'inversion de la diode du corps mou
Résistance extrêmement faible pour minimiser les pertes par conduction
Le dispositif est exempt de plomb et conforme à la directive RoHS
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