MOSFET canal N onsemi 131.5 A 80 V Enrichissement, 10 broches, TCPAK10 NTM
- Code commande RS:
- 277-048
- Référence fabricant:
- NTMJST2D6N08HTXG
- Marque:
- onsemi
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| 100 - 495 | 3,348 € | 16,74 € | 45,60 € |
| 500 - 995 | 3,076 € | 15,38 € | 364,00 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 277-048
- Référence fabricant:
- NTMJST2D6N08HTXG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 131.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | NTM | |
| Type de Boitier | TCPAK10 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 10 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 820mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 68nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 116W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 7.5mm | |
| Longueur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 131.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série NTM | ||
Type de Boitier TCPAK10 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 10 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 820mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 116W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 7.5mm | ||
Longueur 5.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le MOSFET de ON Semiconductor est un transistor de puissance à canal N unique avec une tension nominale de 80V, une résistance à l'enclenchement de 2,8mΩ et une capacité de courant de 131,5A. Son boîtier compact TCPAK57 5x7mm offre d'excellentes performances thermiques, ce qui le rend adapté aux applications de gestion d'énergie à haut rendement, de commande de moteur et de conversion DC-DC.
Boîtier optimisé pour dissiper la chaleur par le haut
Faible encombrement pour les conceptions compactes
RDS(on) très faible pour améliorer l'efficacité du système
Le dispositif est exempt de plomb et conforme à la directive RoHS
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