MOSFET Infineon canal N, TO-220AB FP 72 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 165-5802
Référence fabricant:: IRFI4110GPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, TO-220AB FP 72 A 100 V, 3 broches

2433 En stock pour livraison sous 3 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour l'unité (en tube de 50)

1,821 €

2,185 €

Unité	Prix par unité	le tube*
50 +	1,821 €	91,05 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-5802
Référence fabricant:: IRFI4110GPBF
Marque:: Infineon

IRFI4110GPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet

Nos clients ont également consulté

MOSFET Infineon canal N, TO-220AB, FP 72 A 100 V, 3 broches
MOSFET Infineon canal N, PG-TO 220 FP 72 A 60 V
MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 83 A 100 V, 3 broches
MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 20 A 1200 V, 3 broches
MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 70 A 40 V, 3 broches
MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 7 A 650 V, 3 broches
MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 6 A 950 V, 3 broches
MOSFET Infineon canal N, TO-220 FP 6 A 700 V, 3 broches

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	72 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	TO-220AB FP
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	4,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	61 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Matériau du transistor	Si
Longueur	10.75mm
Charge de Grille type @ Vgs	190 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	4.83mm
Hauteur	16.13mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Infineon canal N, TO-220AB FP 72 A 100 V, 3 broches

Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon

Nos clients ont également consulté