MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 165-5895
- Référence fabricant:
- IRF5305STRLPBF
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5895
- Référence fabricant:
- IRF5305STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 31A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRF5305STRLPBF
Ce MOSFET à canal P est conçu pour les applications à haut rendement, offrant fiabilité et performance. Il utilise la fonctionnalité du mode d'amélioration, ce qui le rend polyvalent pour divers circuits électroniques. Grâce à ses spécifications robustes, il constitue une option appropriée pour l'automatisation et la gestion de l'énergie dans les environnements électriques et mécaniques.
Caractéristiques et avantages
• Courant de vidange continu maximum de 31A
• Tension maximale de la source du drain de 55V
• Configuration de montage en surface pour une intégration transparente
• Capacité maximale de dissipation d'énergie de 110 W pour un fonctionnement efficace
• Performance thermique améliorée avec une température de fonctionnement maximale de +175°C
• Faible résistance à l'enclenchement de 60mΩ pour une meilleure efficacité
Applications
• A utiliser avec les commandes de moteur
• Convient aux circuits d'alimentation électrique
• Commutation électronique
• Solutions de gestion de l'énergie
Quelle est la tension maximale du seuil de la porte ?
La tension maximale de seuil de la grille est de 4V, ce qui permet un contrôle adéquat dans la conception des circuits.
Comment le MOSFET gère-t-il la chaleur ?
La puissance dissipée maximale est de 110 W, ce qui permet une gestion efficace de la chaleur dans les applications exigeantes.
Ce produit est-il compatible avec les conceptions de montage en surface ?
Oui, il se présente sous la forme d'un boîtier D2PAK conçu spécifiquement pour les applications de montage en surface.
Quelle est la température minimale de fonctionnement ?
L'appareil fonctionne efficacement à une température minimale de -55°C, ce qui lui permet de s'adapter à divers environnements.
Quel est l'impact de la résistance à l'enclenchement sur les performances ?
La faible résistance maximale du drain source de 60mΩ contribue à une efficacité et une performance accrues dans les applications de fourniture d'énergie.
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