MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Code commande RS:: 165-5895
Référence fabricant:: IRF5305STRLPBF
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

479,20 €

575,20 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 15 juin 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
800 - 800	0,599 €	479,20 €
1600 +	0,569 €	455,20 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-5895
Référence fabricant:: IRF5305STRLPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	31A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	HEXFET
	Type de montage	Surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	60mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	63nC
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	110W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20 V
	Tension directe Vf	-1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Hauteur	4.83mm
	Largeur	9.65 mm
	Longueur	10.67mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 31A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Type de Boitier TO-263
	Série HEXFET
	Type de montage Surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 110W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20 V
	Tension directe Vf -1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Hauteur 4.83mm
	Largeur 9.65 mm
	Longueur 10.67mm
	Standard automobile Non

IRF5305S/LPbF, HEXFET Power MOSFET

Infineon HEXFET Series MOSFET, 31A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRF5305STRLPBF

Ce MOSFET à canal P est conçu pour les applications à haut rendement, offrant fiabilité et performance. Il utilise la fonctionnalité du mode d'amélioration, ce qui le rend polyvalent pour divers circuits électroniques. Grâce à ses spécifications robustes, il constitue une option appropriée pour l'automatisation et la gestion de l'énergie dans les environnements électriques et mécaniques.

Caractéristiques et avantages

• Courant de vidange continu maximum de 31A

• Tension maximale de la source du drain de 55V

• Configuration de montage en surface pour une intégration transparente

• Capacité maximale de dissipation d'énergie de 110 W pour un fonctionnement efficace

• Performance thermique améliorée avec une température de fonctionnement maximale de +175°C

• Faible résistance à l'enclenchement de 60mΩ pour une meilleure efficacité

Applications

• A utiliser avec les commandes de moteur

• Convient aux circuits d'alimentation électrique

• Commutation électronique

• Solutions de gestion de l'énergie

Quelle est la tension maximale du seuil de la porte ?

La tension maximale de seuil de la grille est de 4V, ce qui permet un contrôle adéquat dans la conception des circuits.

Comment le MOSFET gère-t-il la chaleur ?

La puissance dissipée maximale est de 110 W, ce qui permet une gestion efficace de la chaleur dans les applications exigeantes.

Ce produit est-il compatible avec les conceptions de montage en surface ?

Oui, il se présente sous la forme d'un boîtier D2PAK conçu spécifiquement pour les applications de montage en surface.

Quelle est la température minimale de fonctionnement ?

L'appareil fonctionne efficacement à une température minimale de -55°C, ce qui lui permet de s'adapter à divers environnements.

Quel est l'impact de la résistance à l'enclenchement sur les performances ?

La faible résistance maximale du drain source de 60mΩ contribue à une efficacité et une performance accrues dans les applications de fourniture d'énergie.