MOSFET Infineon canal N, SOIC 3,6 A 80 V, 8 broches

Code commande RS:: 165-5940
Référence fabricant:: IRF7380TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOIC 3,6 A 80 V, 8 broches

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Code commande RS:: 165-5940
Référence fabricant:: IRF7380TRPBF
Marque:: Infineon

IRF7380TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 3,6A, dissipation de puissance maximale de 2W - IRF7380TRPBF

Ce MOSFET est conçu pour une gestion efficace de la puissance dans diverses applications électroniques. Avec une tension nominale élevée et un courant de drain continu de 3,6A, il convient aux convertisseurs DC-DC à haute fréquence, garantissant des performances fiables. Sa conception avancée offre une solution pratique aux professionnels des secteurs de l'automatisation, de l'électronique et de la mécanique à la recherche d'un composant polyvalent pour leurs circuits.

Caractéristiques et avantages

• Le boîtier SO-8 standard assure la compatibilité entre les différents fournisseurs
• Le faible Rds(on) de 73mΩ optimise l'efficacité dans les applications de puissance
• Le fonctionnement en mode "Enhancement" améliore les caractéristiques de performance
• La faible charge de grille de 15nC permet des vitesses de commutation plus rapides
• La tension drain-source maximale de 80V permet de répondre aux besoins de puissance élevés
• La conformité à la directive RoHS et l'absence d'halogène favorisent la sécurité environnementale

Applications

• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC à haute fréquence pour la régulation de la puissance
• Efficace dans les systèmes de gestion de la batterie qui nécessitent une faible perte de puissance
• Convient aux contrôleurs de moteur nécessitant des performances de commutation efficaces
• Utilisé dans les unités d'alimentation électrique pour améliorer l'efficacité globale
• Approprié pour piloter des charges inductives telles que des relais et des solénoïdes

Quelles sont les implications du courant de vidange maximal continu ?

Le courant de vidange continu maximum de 3,6A indique sa capacité à gérer des courants plus élevés dans des applications telles que les circuits d'alimentation, garantissant un fonctionnement stable sans surchauffe.

Comment la faible valeur de Rds(on) affecte-t-elle les performances ?

Le faible Rds(on) de 73mΩ réduit les pertes de puissance pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité globale du système, ce qui est particulièrement bénéfique pour les applications de commutation à haute fréquence.

Quelle est l'importance de ses valeurs de température ?

Fonctionnant entre -55°C et +150°C, le composant peut résister à des conditions environnementales difficiles, ce qui le rend adapté aux applications industrielles.

Ce composant peut-il être monté directement sur des circuits imprimés ?

En effet, son montage en surface permet une intégration facile dans les circuits imprimés, ce qui favorise l'efficacité des processus de fabrication et permet de gagner de la place dans les conceptions compactes.

Comment la tension de seuil de la porte influe-t-elle sur son fonctionnement ?

Avec une tension de seuil de grille comprise entre 2V et 4V, il offre une grande souplesse de conception, permettant la compatibilité avec divers signaux de commande tout en garantissant une activation efficace du dispositif.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	3,6 A
Tension Drain Source maximum	80 V
Type de boîtier	SOIC
Série	HEXFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	73 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	2 W
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	4mm
Longueur	5mm
Charge de Grille type @ Vgs	15 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm