Références fabricant
Composants électroniques, énergie et connecteurs
Electrique, Process Contrôle Automatisme et câbles
Mécanique et outillage
Informatique, Test et Mesure, EPI et hygiène et sécurité

MOSFET, Canal-N, 1,7 A 550 V DPAK (TO-252), 3 broches

Code commande RS:
165-5944
Référence fabricant:
IPD50R3K0CEAUMA1
Marque:
Infineon
Infineon

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Prix pour l'unité (en bobine de 2500)

0,17 €

HT

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TTC

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2500 +0,17 €425,00 €
*Prix donné à titre indicatif
Code commande RS:
165-5944
Référence fabricant:
IPD50R3K0CEAUMA1
Marque:
Infineon

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN

Législation et Conformité

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE



Caractéristiques techniques

AttributValeur
Type de canalN
Courant continu de Drain maximum1,7 A
Tension Drain Source maximum550 V
Type de boîtierDPAK (TO-252)
Type de montageCMS
Nombre de broches3
Résistance Drain Source maximum7,02 Ω
Mode de canalEnrichissement
Tension de seuil maximale de la grille3.5V
Tension de seuil minimale de la grille2.5V
Dissipation de puissance maximum18 W
Configuration du transistorSimple
Tension Grille Source maximum-30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit1
SérieCoolMOS CE
Largeur6.22mm
Longueur6.73mm
Matériau du transistorSi
Température de fonctionnement minimum-55 °C
Température d'utilisation maximum+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs4,3 nC @ 10 V
Hauteur2.41mm
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