MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 1,7 A 550 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 165-5944
- Référence fabricant:
- IPD50R3K0CEAUMA1
- Marque:
- Infineon
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 165-5944
- Référence fabricant:
- IPD50R3K0CEAUMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 1,7 A |
| Tension Drain Source maximum | 550 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 7,02 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 18 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 4,3 nC @ 10 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Longueur | 6.73mm |
| Largeur | 6.22mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Série | CoolMOS CE |
| Hauteur | 2.41mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
- Code commande RS:
- 165-5944
- Référence fabricant:
- IPD50R3K0CEAUMA1
- Marque:
- Infineon