MOSFET canal N STMicroelectronics 15 A 710 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M5
- Code commande RS:
- 165-6589
- Référence fabricant:
- STD18N65M5
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
4 170,00 €
HT
5 005,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 20 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,668 € | 4 170,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-6589
- Référence fabricant:
- STD18N65M5
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 710V | |
| Série | MDmesh M5 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 220mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 710V | ||
Série MDmesh M5 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 220mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.6mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 15 A 710 V Enrichissement TO-252 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 11 A 710 V Enrichissement TO-252 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 130 A 710 V Enrichissement, 3 broches MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 84 A 710 V Enrichissement TO-247 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 42 A 710 V Enrichissement TO-220 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 42 A 710 V Enrichissement TO-263 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 35 A 710 V Enrichissement TO-220 MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 710 V Enrichissement TO-263 MDmesh M5