MOSFET Vishay canal N, SOT-23 3,6 A 30 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 165-6932
- Référence fabricant:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,134 €
HT
0,161 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 3000 - 3000 | 0,134 € | 402,00 € |
| 6000 + | 0,127 € | 381,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 165-6932
- Référence fabricant:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 3,6 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 75 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,7 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 1.4mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 4,5 nF @ 10 V |
| Longueur | 3.04mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.02mm |
- Code commande RS:
- 165-6932
- Référence fabricant:
- SI2304DDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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