MOSFET Vishay canal P, SOIC 7,2 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 165-7252
- Référence fabricant:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-7252
- Référence fabricant:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 7,2 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOIC |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 49 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 4,2 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 5mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Hauteur | 1.55mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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