MOSFET 2 canal Type P Isolé Vishay 8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 919-4202
- Référence fabricant:
- SI4925DDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 040,00 €
HT
1 247,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 5 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,416 € | 1 040,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 919-4202
- Référence fabricant:
- SI4925DDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 5W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 5W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Largeur 4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type P Isolé Vishay 8 A 30 V Enrichissement SOIC TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SOIC TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé Vishay 3.1 A 60 V Enrichissement SOIC TrenchFET Non
- MOSFET de puissance TrenchFET P Vishay 4.7 A 60 V Enrichissement SOIC Si9407BDY
- MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé Vishay 6.5 A 40 V Enrichissement SOIC TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC TrenchFET Non