MOSFET 2 canal Type P Isolé Vishay 8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TrenchFET Non

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
787-9052
Référence fabricant:
SI4925DDY-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOIC

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

32nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Largeur

4mm

Hauteur

1.5mm

Longueur

5mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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