MOSFET Vishay canal P, SOIC 3,1 A 60 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 919-4198
- Référence fabricant:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
0,458 €
HT
0,55 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,458 € | 1 145,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 919-4198
- Référence fabricant:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TW
Détail produit
Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 3,1 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | SOIC |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 150 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 2,4 W |
| Configuration du transistor | Isolé |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Largeur | 4mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Charge de Grille type @ Vgs | 14,5 nC @ 10 V |
| Longueur | 5mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.5mm |
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