MOSFET 2 canal Type P Isolé Vishay 3.1 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TrenchFET Non

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5 - 451,68 €8,40 €
50 - 2451,444 €7,22 €
250 - 4951,174 €5,87 €
500 - 12450,976 €4,88 €
1250 +0,892 €4,46 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
787-9008
Référence fabricant:
SI4948BEY-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.1A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

150mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-0.8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14.5nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.4W

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5mm

Hauteur

1.5mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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