MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé Vishay 6 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 787-9020
- Référence fabricant:
- SI4532CDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|---|
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- Code commande RS:
- 787-9020
- Référence fabricant:
- SI4532CDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 140mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.78W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 140mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.78W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Largeur 4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
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