MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 broches

Name: MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 broches
Brand: Vishay
SKU: 787-9020
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Attribut	Valeur
Type de canal	N, P
Courant continu de Drain maximum	4,3 A, 6 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOIC
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	65 mΩ, 140 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	2,78 W
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Longueur	5mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	4mm
Charge de Grille type @ Vgs	6 nC @ 10 V, 7,8 nC @ 10 V
Hauteur	1.5mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C