MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé Vishay 6 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TrenchFET Non

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Code commande RS:
787-9020
Référence fabricant:
SI4532CDY-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P, Type N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

140mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.78W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Hauteur

1.5mm

Largeur

4mm

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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